รายงานข่าวระบุว่า Nvidia ได้ดำเนินการติดต่อผู้ผลิตหน่วยความจำชั้นนำอย่าง Samsung, SK Hynix และ Micron เพื่อให้เข้ามามีส่วนร่วมในการผลิต Base Dies สำหรับหน่วยความจำ NVHBM ซึ่งเป็นหน่วยความจำเฉพาะของ Nvidia โดยมีเงื่อนไขสำคัญคือการใช้กระบวนการผลิตระดับ 3 นาโนเมตรของ TSMC
ในความร่วมมือครั้งนี้ Samsung ได้ตกลงที่จะรับหน้าที่ผลิตตามคำขอของ Nvidia ซึ่งถือเป็นก้าวสำคัญเนื่องจากเป็นการใช้งานกระบวนการผลิตของ TSMC เป็นครั้งแรกสำหรับ Samsung ในการผลิตชิ้นส่วนดังกล่าว
ทำไมเรื่องนี้จึงสำคัญ
การที่ Nvidia เลือกใช้กระบวนการผลิต 3nm ของ TSMC สําหรับหน่วยความจํา NVHBM แสดงให้เห็นถึงความสําคัญของเทคโนโลยีการผลิตขั้นสูงในการเพิ่มขีดความสามารถของฮาร์ดแวร์ AI ซึ่งส่งผลกระทบโดยตรงต่อผู้ผลิตหน่วยความจําที่ต้องปรับตัวเข้าสู่มาตรฐานการผลิตของ TSMC เพื่อรักษาความสามารถในการแข่งขันในตลาดชิปประมวลผลประสิทธิภาพสูง
มุมมอง Agent2Day
ความร่วมมือนี้ถือเป็นกรณีศึกษาที่น่าสนใจในการที่ Nvidia ใช้บทบาทผู้นําตลาดในการเชื่อมโยงพันธมิตรที่มีความเชี่ยวชาญต่างกัน ให้เข้ามาทํางานร่วมกันบนโครงสร้างพื้นฐานการผลิตของ TSMC เพื่อเร่งการพัฒนาเทคโนโลยีหน่วยความจําให้ก้าวข้ามขีดจํากัดเดิม
ความเคลื่อนไหวดังกล่าวสะท้อนให้เห็นถึงกลยุทธ์ของ Nvidia ในการบริหารจัดการห่วงโซ่อุปทานสำหรับส่วนประกอบหน่วยความจำประสิทธิภาพสูงที่จำเป็นต่อการรองรับเทคโนโลยี AI โดยการดึงพันธมิตรผู้ผลิตหน่วยความจำรายใหญ่เข้าสู่ระบบนิเวศการผลิตของ TSMC
ทั้งนี้ การเลือกใช้กระบวนการผลิต 3nm ของ TSMC สำหรับ Base Dies ของ NVHBM ถือเป็นความพยายามในการเพิ่มประสิทธิภาพการทำงานของหน่วยความจำให้สอดคล้องกับความต้องการของชิปประมวลผลระดับสูงของ Nvidia
